获美宽待后三星西安工场将引进23泛亚电竞6层NAND芯片临蓐配置

2023-12-05点击量：962

　　三星电子决策将其西安NAND闪存工场过渡到200层NAND工艺。三星临盆236层（第8代）NAND产物的措施被视为造胜环球NAND需求低迷而导致事迹降落的战术办法。

　　业内音讯人士暴露，三星高管已同意其西安工场的NAND工艺升级，并已下手普通的扩张使命。三星已下手为这一转型采购最新的半导体修设，新修设估计将正在2023岁尾交付。

　　三星西安工场是该公司独一的海表存储半导体临盆基地泛亚电竞。自2014年修成以后泛亚电竞，西安工场于2020年扩修了第二家工场，现已繁荣成为环球最大的NAND创设基地泛亚电竞，每月可临盆20万片12英寸晶圆生产设备。它占三星NAND总产量的40%以上。正在此配景下，三星谋划2024年正在西安工场持续引进可临盆236层（第8代）NAND的修设生产设备。

　　三星决策升级西安工场厉重有两个源由。第一，正在NAND闪存市集情形没有显现苏醒迹象的情状下，维持其正在NAND市集的环球当先职位。昨岁尾下手的IT市集低迷和半导体市集疲软影响了三星NAND生意，导致未售出库存增添，随后赔本伸张泛亚电竞。

　　纵使通过计谋减产后，事迹提拔照旧迟缓生产设备，促使其打出工艺升级牌。跟着最新第8代产物的量产，不单能够包管价值比赛力和需求，并且思量到第8代比第6代有更多的工艺办法，晶圆加入天然可删除30%旁边。这意味着有潜力平均市集需乞降供应泛亚电竞。

　　毕竟上，三星正在本年4月份就正式告示减产。动作第6代（128层）V-NAND厉再造产基地的西安工场开工率也大幅降落。因为古代产物（128层）市集需求有限，且无法确保价值比赛力生产设备，据了然，工场集体开工率降至20%旁边。

　　流程转嫁的另一个源由是美国一时松弛了三星和SK海力士正在中国运营工场的半导体准则。昨年10月，美国当局央求授权向中国脉土芯片临盆基地出售美国创设的修设，用于创设128层以上、14nm或以下的NAND闪存和18nm或以下的DRAM内存。跟着美国当局告示对三星电子和SK海力士等半导体公司推行为期一年的宽待出口管造，韩国半导体企业对中国工场运营或者受到控造的操心和焦心加剧。

　　可是，本年10月13日，美国商务部工业和太平体（BIS）正式告示，三星电子和SK海力士的中国工场将无穷日宽待美国针对中国的半导体修设管造，意味着三星和SK海力士所需的半导体创设修设得以获准入境。获美宽待后三星西安工场将引进23泛亚电竞6层NAND芯片临蓐配置